国产32层3D NAND Flash存储芯片实现量产

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2018年5月16日人民网转载《长江日报》报道:中国第一代自主可控32层三维闪存芯片产品,已于2017年10月下线并提交客户试用,产品研发从验证试制转向规模量产。

国产32层3D NAND Flash存储芯片实现量产

国家存储器基地长江存储生产的3D NAND Flash晶圆 记者高勇 摄

国产32层3D NAND Flash存储芯片实现量产

国家存储器基地长江存储生产的中国首颗自主研发32层三维闪存芯片 记者高勇 摄

中国第一代自主可控32层三维闪存芯片产品,已于2017年10月下线并提交客户试用,产品研发从验证试制转向规模量产,并于今年4月9日获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。

据悉,64层三维闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019 年实现量产。长江存储的目标,是2023年实现30万片/月产能,年产值1000亿元,预计满足国内闪存需求量50%。

国产32层3D NAND Flash存储芯片实现量产

5月14日,国家存储器基地项目(一期)一号芯片生产厂房内,工人正在安装线缆。