格芯7nm测试良率达65%,2018年年底量产 | 半导体行业观察

admin发布

来源:内容来自微信公众号半导体行业观察(ID:icbank),作者technews,谢谢。

因竞争对手台积电、三星陆续在2018 年挺进7 纳米先进制程,格芯(GLOBALFOUNDRIES)日前也宣布,该公司的7 纳米制程不但在测试良率已提升到65%,未来将按照时程使用EUV 技术的商用和普及,并与客户AMD 展开合作。根据格芯先前公布,7 纳米制程将在2018 年推出,并在年底量产。

格芯7nm测试良率达65%,2018年年底量产 | 半导体行业观察

根据格芯全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan 日前在中国上海举办的GTC 技术大会演讲表示,随着5G 即将开始商用,资料传输的速度越来越高,手机需要满足高速且大量的资料传输,需要不同以往的射频元件。在高性能运算需求方面,格芯将提供FinFET 制程,从14LPP 到12LP,再到7LP 等各节点的制程技术。

格芯7nm测试良率达65%,2018年年底量产 | 半导体行业观察

格芯首席技术长兼全球研发高级副总裁Gary Patton 指出,目前7 纳米制程的7LP EUV 技术已有积极进展。7 纳米LP 制程预期将比14 纳米制程效能提升40%、功耗降低60%。目前,7 纳米测试良率已经提高到65%,将按计划进行EUV 技术的商用和普及,并且与客户AMD 合作。

Gary Patton 坦言,在EUV 技术上,格芯的7 纳米制程确实面临很多挑战,包括如何进一步提升良率、光罩防尘膜瑕疵等问题,必须努力克服才能投入大规模量产,目标是将良率提高到95%。格芯目前采取分阶段采用EUV 技术的策略,第一阶段将不采用光罩防尘膜(pellicle),第二阶段才会使用。

格芯进一步指出,其新开发的7 纳米FinFET 制程技术充分利用了其在14 纳米FinFET 制程技术上的大量制造经验,该技术于2016 年初2 月8 日开始在Fab 8 晶圆厂中正式生产之后,格芯已为广大的客户提供了「一次便成功」的设计。

为了加快7LP 的量产进度,格芯正在持续投资最新的研发设备能力,包括在2017 年下半年首次购入两组极端紫外线(EUV)光刻工具。不过,7LP 的初始量产的性能提升将依赖传统的光刻方式,而当具备大量生产条件之际,将逐步使用EUV 光刻技术。

除了先进制程,传统的成熟制程一般很难满足所有应用的要求,物联网(IOT)对低功耗的要求更高,因此低功耗高性价比要求的应用,格芯也针对物联网、行动通信、射频芯片提供22FDX、12FDX 等制程解决方案。

Gary Patton 指出,目前格芯20、22 纳米已进入量产准备阶段,且2018 年底前已有15 个设计定案,并陆续有135 家客户展开初期接触。他指出,目前12FDX 性能已经90% 达到目标,预计2018 年下半年进入试产,2019 年上半年正式量产。

格芯在中国的布局方面,受瞩目的成都晶圆厂Fab 11(11 厂)厂房施工建设历时8 个多月,一期厂房即将于11 月初封顶,项目进展十分顺利。预计在2018 年完工时,将成为中国境内最大的晶圆厂,并成为中国最先进12 寸晶圆厂之一。同时,Fab 11 也将成为格芯 22FDX 制程的生产中心。

预计先期Fab 11 会以生产0.13 微米到0.18 微米的主流成熟技术产品为主,每月产能为20,000 片。到2019 年下半年,将进行高度差异化的22FDX(FD-SOI)制程量产,届时产量将提高至每月65,000 片。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第1443期内容,欢迎关注。

Reading

推荐阅读(点击文章标题,直接阅读)

eFPGA与FPGA SoC,谁将引领下一代可编程硬件之潮流?

重新定义MCU

FPGA在下一代网络架构中的重要意义

关注微信公众号 半导体行业观察,后台回复关键词获取更多内容

回复 科普,看更多半导体行业科普类的文章

回复 DRAM,看更多DRAM的文章

回复 光刻,看更多光刻技术相关的文章

回复 三星,看更多与三星公司相关的文章

回复 全面屏,看更多全面屏相关的文章

回复 双摄,看更多关于手机双摄像头的文章

回复 毫米波,看更多与毫米波相关的文章

回复 IPO,看更多与半导体企业IPO相关的文章

回复 展会,看《2017最新半导体展会会议日历》

回复 投稿,看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》

回复 搜索,还能轻松找到其他你感兴趣的文章!